仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 8.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 50 ns
PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
