ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263)

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 28 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 250W
標準ターンオン遅延時間 = 35 ns
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。