仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 850 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 500 mW
動作温度 Max = +150 ℃
NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応