ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 220 mA， 3 ピン パッケージSOT-23

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 220 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 20nS
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。