仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 13.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
最大パワー消費 = 130 W
寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mm
MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応