内容量1セット(1000個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:100 A最大ドレイン-ソース間電圧:60 V最大ドレイン-ソース間抵抗:5.6 mΩ最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:D2PAK (TO-263)実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:125 Wトランジスタ素材:SiNチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。
注文コード47181838
品番STB100N6F7