内容量1セット(3000個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ 最低ゲートしきい値電圧:0.7V 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:350 mW 動作温度 Min:-55 ℃ NチャンネルSTripFET(TM) V、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47183816
品番STR2N2VH5