内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧:20 V最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ最低ゲートしきい値電圧:0.7V最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 Vパッケージタイプ:SOT-23実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:350 mW1チップ当たりのエレメント数:1NチャンネルSTripFET(TM) V、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47183825
品番STR2N2VH5