内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:35 A 最大ドレイン-ソース間電圧:710 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:78 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:5V 最低ゲートしきい値電圧:3V 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:210 W 標準ターンオフ遅延時間:79.5 ns NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
注文コード47185164
品番STB45N65M5