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仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:6 A 最大ドレイン-ソース間電圧:800 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:5V 最低ゲートしきい値電圧:3V 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:110 W トランジスタ素材:Si NチャンネルMDmesh(TM) K5シリーズ、SuperMESH5(TM)、STMicroelectronics
注文コード47186029
品番STD8N80K5