内容量1セット(1000個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:80 A 最大ドレイン-ソース間電圧:55 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:7 mΩ 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:300 W 1チップ当たりのエレメント数:1 NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47186546
品番STB80NF55L-06T4