内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:80 A 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:4.9 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:110W 標準ターンオフ遅延時間:75 ns NチャンネルSTripFET(TM) DeepGate(TM)、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47186677
品番STD150N3LLH6