内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:80 A最大ドレイン-ソース間電圧:100 V最大ドレイン-ソース間抵抗:9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧:4.5V最低ゲートしきい値電圧:2.5V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:H2PAK-2実装タイプ:表面実装トランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:110 Wトランジスタ素材:SiNチャンネルSTripFET? H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET? MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47186729
品番STH80N10F7-2