STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(50個) 仕様チャンネルタイプ:P最大連続ドレイン電流:2 A最大ドレイン-ソース間電圧:30 V最大ドレイン-ソース間抵抗:90 mΩ最大ゲートしきい値電圧:2.5V最低ゲートしきい値電圧:1V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:SOT-23実装タイプ:表面実装トランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:350 mW順方向ダイオード電圧:1.1VPチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 注文コード47187124 品番STR2P3LLH6
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は3,500円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥3,619
販売価格(税別)
3,290
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仕様
チャンネルタイプ:P
最大連続ドレイン電流:2 A
最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:90 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:2.5V
最低ゲートしきい値電圧:1V
最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
パッケージタイプ:SOT-23
実装タイプ:表面実装
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:350 mW
順方向ダイオード電圧:1.1V
PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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