内容量1袋(50個)
仕様チャンネルタイプ:P最大連続ドレイン電流:2 A最大ドレイン-ソース間電圧:30 V最大ドレイン-ソース間抵抗:90 mΩ最大ゲートしきい値電圧:2.5V最低ゲートしきい値電圧:1V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:SOT-23実装タイプ:表面実装トランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:350 mW順方向ダイオード電圧:1.1VPチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47187124
品番STR2P3LLH6