内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:3 A 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:4V 最低ゲートしきい値電圧:2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:SOT-223 実装タイプ:表面実装 ピン数:3+Tab チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:2.6 W トランジスタ素材:Si PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47187149
品番STN3P6F6