TSM60NB600CI C0G Taiwan Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET TAIWAN SEMICONDUCTOR 47215763

Taiwan Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(10個) 仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:8 A最大ドレイン-ソース間電圧:600 V最大ドレイン-ソース間抵抗:600 mΩ最大ゲートしきい値電圧:4V最低ゲートしきい値電圧:2V最大ゲート-ソース間電圧:±30 Vパッケージタイプ:ITO-220S実装タイプ:スルーホールピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:32 W動作温度 Min:-55 ℃ 注文コード47215763 品番TSM60NB600CI C0G
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:8 A
最大ドレイン-ソース間電圧:600 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:600 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:4V
最低ゲートしきい値電圧:2V
最大ゲート-ソース間電圧:±30 V
パッケージタイプ:ITO-220S
実装タイプ:スルーホール
ピン数:3
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:32 W
動作温度 Min:-55 ℃

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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