チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流(A)11.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20パッケージDPAK(TO-252)実装タイプ表面実装ピン数(ピン)3チャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費(W)691チップ当たりのエレメント数1仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、10~19.9A、FairchildSemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応