チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最小ゲートしきい値電圧(V)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20パッケージSOT-23実装タイプ表面実装ピン数(ピン)3チャンネルモードエンハンスメント型動作温度(℃)-55仕様強化モードNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最大連続ドレイン電流(mA)300最大パワー消費(mW)350RoHS指令(10物質対応)対応