仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:8.5 A (Nチャンネル), 8.5 A (Pチャンネル) 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V (Nチャンネル), 60 V (Pチャンネル) 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:73 mΩ (Nチャンネル), 80 mΩ (Pチャンネル) 、 最大ゲートしきい値電圧:3 (N Channel) V, 3 (P Channel) V 、 最低ゲートしきい値電圧:1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V 、 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V (Nチャンネル), ±20 V (Pチャンネル) 、 パッケージタイプ:HSOP 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:7 W 、 動作温度 Min:-55 ℃