仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
パッケージSOT-523 (SC-89)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)236
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.34
最大ドレイン-ソース間電圧(V)8
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120
最小ゲートしきい値電圧(V)0.35
最大ゲート-ソース間電圧(V)-5、+5
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET