仕様NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
寸法(mm)6.73×6.22×2.38
ピン数(ピン)3
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)36
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)7
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
カテゴリーパワーMOSFET