仕様NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)125
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)10
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)550
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET