仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
長さ(mm)3.08
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK ChipFET
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)31
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)18.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET