仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
パッケージPowerPAK ChipFET
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)31
標準ターンオン遅延時間(ns)25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)12
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)21
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET