仕様NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)375
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)120
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)4.6
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET