仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
パッケージPowerPAK SO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)15.6
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)13.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET