仕様NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Max)+150
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)42
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+10
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET