仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
パッケージPowePAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)27.7
標準ターンオフ遅延時間(ns)16
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET