仕様NチャンネルMOSFET、Plus内蔵ショットキー(SkyFETR)、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)16.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET