仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージI2PAK (TO-262)
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)130
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)18
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET