仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-363 (SC-88)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.8
標準ターンオフ遅延時間(ns)25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)77
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET