仕様NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor. 逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減 低性能指数(FOM) 低入力静電容量(Ciss) 低逆回復電荷により堅牢性を向上 超低ゲート電荷(Qg)
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-247AC
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)278
標準ターンオン遅延時間(ns)28
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)33
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)98
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
カテゴリーパワーMOSFET