仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)6
パッケージSOT-363 (SC-70)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)7.8
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)63
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
カテゴリーパワーMOSFET