仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSO
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)45.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10
最大ゲートしきい値電圧(V)2.4
最小ゲートしきい値電圧(V)1.1
最大ゲート-ソース間電圧(V)20
カテゴリーパワーMOSFET