仕様NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
パッケージHVMDIP
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)490
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.8
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ20nC@10V
カテゴリーパワーMOSFET