仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Max)+175
パッケージSO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)4
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.137
最大ゲートしきい値電圧(V)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)20
カテゴリーパワーMOSFET