仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
パッケージSOT-523 (SC-89)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)220
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)530
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)762
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET