仕様NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)130
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.2
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET