仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
長さ(mm)2.15
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-363 (SC-70)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)19
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)10.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET