仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3.2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET