仕様ドライバ数:6●動作供給電圧 Min:13 V●動作供給電圧 Max:17.5 V●トポロジー:ガルバニック絶縁●実装タイプ:表面実装●ピーク出力電流:420mA●出力数:6●極性:非反転●パッケージタイプ:DSO●ピン数:28●ブリッジタイプ:フルブリッジ●入力ロジック互換性:CMOS, LSTTL●高/低サイド依存性:独立●幅:7.6mm●EiceDRIVER 3相ゲート駆動IC、Infineon. Infineonの3相600 V MOSFET / IGBTゲートドライバICで、実績のある既存のSOI技術に基づいています。 この頑丈なデバイスには寄生サイリスタ構造がなく、通常のあらゆる動作条件下でのラッチアップが防止されています。 このドライバは、低電圧過電流検出機能を搭載しており、最小3.3 VのCMOS又はLSTTL対応信号で制御されます。. 最大遮断電圧: 600 V 6つの独立したドライバ 3.3 Vロジックによる制御 ヒステリシスによる低電圧検出 過電流検出