内容量1袋(15個)
仕様トランジスタタイプ:NPN●最大DCコレクタ電流:150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧:13 V●パッケージタイプ:SOT-343●実装タイプ:表面実装●最大パワー消費:500 mW●最小DC電流ゲイン:100●トランジスタ構成:シングル●最大コレクタ-ベース間電圧:13 V●最大エミッタ-ベース間電圧:1.2 V●ピン数:4●1チップ当たりのエレメント数:1●幅:1.25mm●SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
注文コード49240696
品番BFP650H6327XTSA1