BSC123N10LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON 49243873

Infineon Nチャンネル MOSFET

商品レビューを投稿する
取扱い終了
お気に入りに追加
内容量1袋(2個) 仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:71 A、最大ドレイン-ソース間電圧:100 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:16.6 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:2.4V、最低ゲートしきい値電圧:1.2V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TDSON、実装タイプ:表面実装、ピン数:8、チャンネルモード:エンハンスメント型、最大パワー消費:114 W、1チップ当たりのエレメント数:1、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。 注文コード49243873 品番BSC123N10LSGATMA1
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
この商品は仕様・内容量49種類から選べます 他の種類を見る
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:71 A、最大ドレイン-ソース間電圧:100 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:16.6 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:2.4V、最低ゲートしきい値電圧:1.2V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TDSON、実装タイプ:表面実装、ピン数:8、チャンネルモード:エンハンスメント型、最大パワー消費:114 W、1チップ当たりのエレメント数:1、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

商品レビュー

商品レビューを投稿すると毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります

シェアする