内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:71 A、最大ドレイン-ソース間電圧:100 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:16.6 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:2.4V、最低ゲートしきい値電圧:1.2V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TDSON、実装タイプ:表面実装、ピン数:8、チャンネルモード:エンハンスメント型、最大パワー消費:114 W、1チップ当たりのエレメント数:1、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
注文コード49243873
品番BSC123N10LSGATMA1