内容量1リール(4000個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:10 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:15.5 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:1.1V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V 、 パッケージタイプ:PQFN 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:7 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1.98 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49244205
品番IRLHS6242TRPBF