Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(2500個) 仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:100 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:5.2 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費:167 、 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOS(TM)ET、60 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOS(TM)ET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき 注文コード49244808 品番IPD031N06L3GATMA1
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥549,780
販売価格(税別)
499,800
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仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:100 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:5.2 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費:167 、 動作温度 Min:-55 、 Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOS(TM)ET、60 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOS(TM)ET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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