内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:120 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:4.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.5V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:300 W●トランジスタ素材:Si●Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
注文コード49246366
品番IPB027N10N3GATMA1