Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

商品レビューを投稿する
取扱停止中返品不可
お気に入りに追加
内容量1袋(10個) 仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:70 A、最大ドレイン-ソース間電圧:80 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:18.2 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最低ゲートしきい値電圧:2V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-220、実装タイプ:スルーホール、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:100 W、順方向ダイオード電圧:1.2V、Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき 注文コード49255658 品番IPP100N08N3GXKSA1
大変申し訳ございませんが、この商品は現在ご注文頂けません。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥3,078
販売価格(税別)
2,798
この商品は仕様・内容量など1453種類から選べます 他の種類を見る
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:70 A、最大ドレイン-ソース間電圧:80 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:18.2 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最低ゲートしきい値電圧:2V、最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-220、実装タイプ:スルーホール、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:100 W、順方向ダイオード電圧:1.2V、Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

商品レビューを投稿すると毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります

シェアする