内容量1リール(3000個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:22 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:TSOP●実装タイプ:表面実装●ピン数:6●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●トランジスタ素材:Si●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49256184
品番IRLTS6342TRPBF