IRFSL3607PBF Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON 49256559

Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(10個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:80 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.009 Ω●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:I2PAK (TO-262)●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:140 W●標準ターンオン遅延時間:16 ns●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 注文コード49256559 品番IRFSL3607PBF
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:80 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.009 Ω●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:I2PAK (TO-262)●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:140 W●標準ターンオン遅延時間:16 ns●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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