内容量1袋(8個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:86 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:12 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:130 W●高さ:4.83mm●NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257514
品番IRL3705ZSTRLPBF